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电子元器件详细资料 » IC[28871] » NVD5117PLT4G
型号:NVD5117PLT4G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C61A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C16 毫欧 @ 29A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs85nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4800pF @ 25V
功率_最大4.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装DPAK-3
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
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